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2026-10-08 2026-10-30 2026-09-22 2026-10-12 2026-07-10 
产品型号：CRYO--U8HSP厂商性质：经销商更新时间：2026-03-24访 问 量：148
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日本ULVAC爱发科真空泵低温泵CRYO-U8HSP
日本ULVAC爱发科真空泵低温泵CRYO-U8HSP
适用于溅射工艺。
氩气排气量约为传统型号（U8H）的 2.5 倍。
氢气排气速度已提高到传统型号（U8H）的约 1.2 倍。
更长的再生间隔有助于提高设备的利用率。
可进行多单元操作（最多 3 台）。
| 排气速度（20℃） | 氮 | 升/秒 | 1,700 |
| 氢 | 3,200 | ||
| 氩气 | 1400 | ||
| 水 | 4,000 | ||
| 极限压力 | 帕（托） | 10 -7 (10 -9 ) | |
| zui大流量 | 氩气 | 帕·升/秒 (托·升/秒) | 1.2 × 10³ (8.9) |
| 氢 | 2.4 × 10² (1.8) | ||
| 排气容量 | 氩气 | Pa・L(Torr・L) | 2.5 × 10⁸ (1.9 × 10⁶ ) |
| 氢 | 1.0 × 10⁶ (7.8 × 10³ ) | ||
| 冷却下降时间 （电源循环） | 最小值（赫兹） | 125/115 (50/60) | |
| 进气法兰 | UVG-200、6 B ANSI、UFC-253 | ||
| 压缩机组 | C10T，C10AT | ||
| 大量的 | 公斤 | 33.2 | |
*维护周期：16,000 小时
型号含义：SP = Sputtering Process（溅射工艺专用）
核心定位：在标准 CRYO‑U8H 基础上，氩气容量 ×2.5、氢气抽速 ×1.2，专为高 Ar 流量、长连续运行的溅射 / PVD 场景设计。
极限真空：1×10⁻⁷ Pa（1×10⁻⁹ Torr），无油洁净。
| 参数 | CRYO‑U8HSP | 标准 CRYO‑U8H | 提升幅度 |
|---|---|---|---|
| 抽速（L/s） | N₂：1700；H₂：3200；Ar：1400；H₂O：4000 | N₂：1700；H₂：2700；Ar：1400；H₂O：4000 | H₂ +18.5% |
| 极限压力 | 1×10⁻⁷ Pa | 1×10⁻⁷ Pa | — |
| zui大流量 | Ar：1.2×10³ Pa·L/s；H₂：2.4×10² Pa·L/s | Ar：1.2×10³；H₂：2.4×10² | — |
| 排气容量 | Ar：2.5×10⁸ Pa·L；H₂：1.0×10⁶ Pa·L | Ar：1.0×10⁸；H₂：1.0×10⁶ | Ar +150% |
| 冷却时间 | 100 min（50 Hz）/ 90 min（60 Hz） | 100/90 min | — |
| 法兰 | UVG‑200、6B ANSI、UFC‑253 | 同左 | — |
| 配套压缩机 | C10、C10AT、C10ES | 同左 | — |
| 重量 | 20.8 kg | 20.8 kg | — |
氩气容量翻倍 +：Ar 容量达 2.5×10⁸ Pa·L，是 U8H 的2.5 倍，大幅延长再生间隔。
氢气抽速强化：H₂抽速 3200 L/s，比 U8H 高18.5%，适配含氢溅射 / ALD 工艺。
长周期稳定运行：再生周期显著延长，设备稼动率更高。
法兰、接口、压缩机与 U8H/U8H‑U/U8HL wan全互换，可直接替换升级。
支持 MBD‑S/MBD‑T + MBS‑C 测温，适配现有控制系统。
支持最多 3 台并联，满足大腔体溅射需求。
全电驱动，无油蒸汽污染，满足半导体、显示、光学镀膜的洁净要求。
极限真空 1×10⁻⁷ Pa，保障薄膜均匀性与良率。
半导体：金属化、钝化、 barrier 层、TSV 溅射
显示：OLED、LCD、Mini‑LED 电极 / 薄膜溅射
光伏：TCO、背电极、金属栅线 PVD
光学：低辐射膜、增透膜、导电膜 连续镀膜
装饰 / 工具：硬质涂层、装饰膜 量产线
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