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ULVAC/日本爱发科电子束枪

ULVAC/日本爱发科电子束枪“型号:“EGN模型"是一种用于金属沉积的电子束蒸发源,采用反射电子吸收机制,重点提升可维护性。
采用平顶结构可减少电子束蒸发源上的薄膜面积,实现高度可维护性。

  • 产品型号:EGN-206M
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2026-06-22
  • 访  问  量:199
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产品详情

ULVAC/日本爱发科电子束枪,型号:EGN-206M

ULVAC/日本爱发科电子束枪,型号:EGN-206M

电子束气相沉积(EB气相沉积)是一种利用电子束加热和蒸发材料,在基板上形成薄膜的技术。 该技术以能够形成高精度、高纯度薄膜为特征,并被广泛应用于多个领域。 它特别适合高熔点材料和需要高纯度的薄膜形成,广泛应用于光学、电子和装饰等多个工业领域。

电子束气相沉积(EB气相沉积)被广泛应用于多个领域。 应用大致分为两种膜类型,代表性如下。
(1)光学薄膜
・镜片和镜面上的防反射涂层(AR涂层)
・反射性和干涉膜(如激光光学元件和滤光片)
·光学元件
高精度多层涂层 (2) 金属薄膜
・半导体、集成电路(IC) 电
极膜的形成 ·装饰品表面涂层 EB
沉积成功的关键在于妥善管理以下要点:
·真空环境
管理 ・电子束控制
・材料和基底质量控制
·薄膜厚度和沉积速率的稳定:通过妥善管理
这些措施并全面实施安全措施,可以实现稳定的工艺和高质量的薄膜形成。

电子枪(电子束枪)用于电晶电磁气沉积,是一种利用电子束加热并汽化材料的装置。 与传统电阻加热相比,它可以加热到更高温度,从而实现即使是高熔点材料也能高效蒸发。 另一个主要特点是其高精度和能够形成均匀薄膜的能力。 Alback还提供一系列适用于各种应用的电子枪(电子束枪)

特色

  • 抑制反射电子入射到基板上,减小基底温度上升

  • 采用平顶结构使电子束蒸发源上的薄膜面积较小,便于清洁。

  • 通过采用新的发射结构,零件数量比以往型号减少到60%,使组装更加便捷。

  • 通过更换部分,你可以选择丝带形和点状梁。

  • 通过基于多年积累的技术设计,我们实现了可靠性。

规格

模型EGN-206MEGN-406M
电子束偏转角270°
坩埚计数6
坩埚容量20cc40cc
坩埚尺寸:顶部×底部×深度Φ42×Φ32×19(毫米)Φ50×Φ41×25(毫米)
冷却水体积哈斯10升/分钟或更高
其他2升/分钟或更高
外部尺寸(W×D×H)不包括突出物214×343×144(毫米)
质量28公斤以下
沉积率1.6微米/分钟
(带状梁/铝/8千瓦/40cc坩埚/250H,位于心脏正上方)
最大加速电压-10kV
最大发射电流0.8A1.0A
适用电源HPS-1000N-100/HPS-1000N-200


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