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产品型号：VTR-151M/SRF（SCOTT-C3）厂商性质：经销商更新时间：2026-06-22访 问 量：252
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ULVAC/日本爱发科小型真空沉积装置，型号：VTR-151M/SRF（SCOTT-C3）
ULVAC/日本爱发科小型真空沉积装置，型号：VTR-151M/SRF（SCOTT-C3）
薄膜形成装置是一种在硅晶圆等基板上形成薄膜的装置。
Albac 的紧凑型实验室薄膜沉积设备提供高精度薄膜成型技术，非常适合研发和小规模生产。 其紧凑的设计使得即使在有限空间内也能高效使用。
气相沉积是一种将金属或氧化物等物质汽化并沉积在基板表面以形成薄膜的技术。
在气相沉积过程中，目标材料首先在真空腔室内通过电阻加热、电子束加热或激光加热等方法进行加热和蒸发。蒸汽通过真空向基板移动，在真空环境中扩散最小化，然后到达基板表面，冷凝形成具有均匀且高质量特性的薄膜。
绝缘、金属和半导体材料的溅射设备。
主泵使用涡轮分子泵。
×三根2英寸阴极，可形成多层薄膜，最多可达三层。
磁控管溅射速度达到30 nm/min（SiO2）。
配备基材加热机制（350°C）。
| 模型 | VTR-151M/SRF（SCOTT-C3） | |
| 真空性能 | 到达压力 | 6.6×10-4 |
| 排气时间 | 6.6×10-3Pa/5分钟 | |
| 真空室 | 真空室 | 金属腔室（内径Φ310.5毫米×高度160毫米） |
| 阴极 | 2英寸，3元 | |
| 推荐板块尺寸 | Φ2英寸（Φ50.8毫米）×1毫米 | |
| 有效膜形成范围 | 25毫米 | |
| 薄膜形成速率 | 在30 nm/min或更高SiO2薄膜沉积时， | |
| 胶片厚度分布 | 在SiO2薄膜沉积中，25毫米区域的10%±范围内 | |
| 基材加热温度 | 最高350°C | |
| 基板/电极距离 | 50毫米 ~ 90毫米（可变：半固定） | |
| 排气系统 | 主泵 | 涡轮分子泵 250升/秒 |
| 液氮陷阱 | — | |
| 辅助泵 | 油转真空泵 200升/分钟 | |
| 油雾陷阱 | 油雾陷阱 OMT-200A | |
| 操作系统 | 主阀 | 蝶阀 |
| 辅助阀 | 三通阀 | |
| 自动泄漏阀 | 选项 | |
| 运营 | 手动挡 | |
| 控制系统 | 射频电源 | 最大300W（可调节0~300W） |
| 皮拉尼真空计 | GP-1GRY | |
| 电离真空计 | ISG1/SH2-1 | |
| 背景设定 | 最大尺寸 | 1081毫米（宽）×853毫米（深）×1104毫米（高） |
| 质量 | 400公斤 | |
| 模型 | VTR-151M/SRF（SCOTT-C3） |
| 所需电力 | 200V 单相 50/60Hz 3.5kVA |
| 地面终端 | A型（地阻值10Ω或以下） |
| 所需水量 | 2.0升/分钟（水温：25°C或以下，水压：200kPa（表压）） |
| 竞争（电源） | 乙烯基盖轮胎线（松头）4m R3.5-5，带压接端子 |
| 竞争（地球） | 接地线（松散端）4米，带R5.5-8压接端子 |
| 比赛（星期三） | Tetron刀片软管（内径9毫米×外径15毫米），4米（两件） |
| [1] | 密封法兰 |
| [2] | 电极分流板 |
| [3] | 阴极 |
| [4] | 气体引入 |
| [5] | 猫眼 |
| [6] | 快门手柄 |
| [7] | 快门 |
| [8] | 排气阀 |
| [9] | Gaugeport（规范端口） |
[标准]
[特殊型号示例]
* 我们根据研发目的进行定制。
| ● 额外气体引入 | ● 直流电源 |
| ● 质量荧光控制器 | ● Φ4英寸 1元 |
| ● 电路板加热：600°C（腔室水冷） |
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